日本材料科學界的巨擘，二維材料研究的關鍵推手：
谷口尚博士 (Dr. Takashi Taniguchi)
演講時間：5月8日(四) 下午2:20~3:30
演講地點：台大凝態物理館2樓國際會議廳(R204)
Title: High-pressure crystals growth of Diamond and Boron Nitride and their quantum applications
Dr. Takashi Taniguchi 現任日本國立材料研究院（NIMS）執行副所長，同時擔任其旗下的Research Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA) 主任。他是高壓合成與先進晶體成長領域的權威，尤其在六方氮化硼（h-BN）材料的開發方面，對近十五年來二維材料科學的發展帶來深遠影響。
Dr. Takashi Taniguchi 與同事 Dr. Kenji Watanabe 共同開發出世界領先的hBN晶體，除了是當今最高品質的原子級寬能隙半導體，也是全球研究石墨烯等二維材料不可或缺的關鍵材料。這些晶體能大幅提升石墨烯的電子遷移率，進一步促進量子材料與奈米電子學領域的技術突破。截至目前，Dr. Taniguchi 團隊已向全球超過270家研究機構供應hBN晶體，並參與超過1,100篇國際學術論文發表，涵蓋《Nature》、《Science》等頂尖期刊。
Dr. Takashi Taniguchi 於2019年當選為世界陶瓷科學院（World Academy of Ceramics）院士，至今持續推動材料科學的創新與國際合作，為未來功能性材料的發展奠定堅實基礎。Dr Taniguchi 的研究成果屢獲殊榮，包括2025年的「つくば賞」與「朝日賞」，2023年的「美國物理學會 James C. McGroddy 新材料獎」，並自2017年至2024年間連續入選 Clarivate Analytics「高被引科學家」。2022年更獲選為 Clarivate 引用桂冠獎（Citation Laureate）得主。根據 Web of Science，截至2025年2月，其h-index高達188，足見其學術影響力之深。
本次由國立台灣大學新穎材料原子級科學研究中心(AI-Mat) 舉辦，邀請Dr. Takashi Taniguchi 來台訪問，一起分享其高壓成長鑽石與六方氮化硼 (h-BN) 晶體的研究成果與經驗，也分享其在最新量子科技的應用。
